晶圓封裝是先進(jìn)的芯片封裝方式之一，封裝質(zhì)量的好壞將直接影響到電子產(chǎn)品成本及性能。IC封裝形式有許多，且在科技進(jìn)步的同時(shí)也發(fā)生著日新月異的變化，但其生產(chǎn)過(guò)程有芯片置放裝架內(nèi)引線鍵合、密封固化等，但只有封裝達(dá)到要求的才能投人實(shí)際應(yīng)用，成為終端產(chǎn)品。VP系列金鉑利萊制造生產(chǎn)的低溫等離子表面清洗機(jī)適用于晶圓級(jí)先進(jìn)封裝應(yīng)用，能顯著的降低化學(xué)和耗材使用量，保護(hù)環(huán)境的同時(shí)降低設(shè)備使用成本。

    等離子清洗屬于干法清洗，主要的工作機(jī)理是去除晶圓（Wafer）表面肉眼看不到的表面污染物；晶圓等離子清洗過(guò)程就是先將晶圓放入等離子清洗機(jī)的真空反應(yīng)腔體內(nèi)，然后抽取真空，達(dá)到一定真空度后通入反應(yīng)氣體，這些反應(yīng)氣體被電離形成等離子體與晶片表面發(fā)生化學(xué)和物理反應(yīng)，生成可揮發(fā)性物質(zhì)被抽走，使得晶圓表面變得清潔并具親水性。

1- 整片晶圓生產(chǎn)完成后，直接在晶圓上面進(jìn)行封裝和測(cè)試，然后把整個(gè)晶圓切割開(kāi)來(lái)分成單顆晶粒；電氣連接部分采用用銅凸塊（Copper Bump）取代打線（Wire Bond）的方法，所以沒(méi)有打線或填膠工藝。

2- 3d晶圓封裝前等離子處理的目的：去除表面的無(wú)機(jī)物，還原氧化層，增加銅表面的粗糙度，提高產(chǎn)品的可靠性

3- 3d晶圓封裝前處理的等離子清洗機(jī)由于產(chǎn)能的需要，真空反應(yīng)腔體、電極結(jié)構(gòu)、氣流分布、水冷裝置、均勻性等方面的設(shè)計(jì)會(huì)有顯著區(qū)別。

4- 芯片制作完成后殘余的光刻膠無(wú)法用濕式法清洗，只能通過(guò)等離子的方式進(jìn)行去除，然而光刻膠較厚無(wú)法確定，所以需要去調(diào)整相應(yīng)的工藝參數(shù)。